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DIL测试碳化硅的烧结过程
点击次数:65 发布时间:2019-04-09

 

碳化硅(SiC)是由硅和碳组成的陶瓷,人造的碳化硅作为研磨料,商品名为金刚砂,也可作为半导体材料和碳硅宝石。最常见类型是α-碳化硅,其合成温度超过2000°C,结构呈六方晶系。另一种β-碳化硅呈面心立方结构,制备温度通常低于2000°C,但商业价值不高。碳化硅的比重为3.2g/cm3,熔点温度高达2700°C,呈化学惰性,热膨胀系数很低,并且不会发生相转变,非常适合用作高温轴套和炉体材料。

 

测试条件:

温度范围:1000 … 2200°C

样品长度:18。66mm

校正标样:Poco石墨

广西快3升温速率:5K/min

气氛:He  

 

结果讨论:

上图是碳化硅生坯(主要是由SiC粉末和烧结助剂混合而成)在1000°C到2200°C下热膨胀测试曲线,呈两步烧结步骤。第一步烧结收缩速率在1313°C达到最大,这是因为烧结助剂的减少。第二步收缩速率在1817°C达到最大,这是由于坯体的收缩/致密化造成的。该例说明使用DIL 402测量超过2000°C的陶瓷烧结过程是完全没有问题。

 

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